DTA123JKAT246
Specificità
				
						Categoria:
						
																				Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
					
						Corrente - Collettore (Ic) (Max):
						
																				100 mA
					
						Status del prodotto:
						
																				Non per nuovi disegni
					
						Tipo di transistor:
						
																				PNP - Pregiudicato
					
						Frequenza - transizione:
						
																				250 MHz
					
						Tipo di montaggio:
						
																				Montaggio superficiale
					
						Pacco:
						
																				Nastro e bobina (TR)
					
						Serie:
						
																				-
					
						Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
						
																				300mV @ 250μA, 5mA
					
						Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
						
																				50 V
					
						Confezione del dispositivo del fornitore:
						
																				SOT-346
					
						Resistenza - base (R1):
						
																				2,2 kOhms
					
						Mfr:
						
																				Semiconduttore Rohm
					
						Resistenza - emittenta-base (R2):
						
																				47 kOhms
					
						Corrente - limite del collettore (massimo):
						
																				500nA
					
						Potenza - Max:
						
																				200 Mw
					
						Confezione / Cassa:
						
																				SOT-346
					
						Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
						
																				80 @ 10mA, 5V
					
						Numero del prodotto di base:
						
														DTA123
					introduzione
				
						Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-346
					                            
                      					
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							Stoccaggio:
							
						
							            							 
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							MOQ:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					

 
        