PDTA123TE,115
Specificità
				
						Categoria:
						
																				Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
					
						Corrente - Collettore (Ic) (Max):
						
																				100 mA
					
						Status del prodotto:
						
																				Non utilizzato
					
						Tipo di transistor:
						
																				PNP - Pregiudicato
					
						Tipo di montaggio:
						
																				Montaggio superficiale
					
						Pacco:
						
																				Nastro e bobina (TR)
					
						Serie:
						
																				-
					
						Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
						
																				150mV @ 500μA, 10mA
					
						Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
						
																				50 V
					
						Confezione del dispositivo del fornitore:
						
																				SC-75
					
						Resistenza - base (R1):
						
																				2,2 kOhms
					
						Mfr:
						
																				NXP USA Inc.
					
						Corrente - limite del collettore (massimo):
						
																				1µA
					
						Potenza - Max:
						
																				150 Mw
					
						Confezione / Cassa:
						
																				SC-75, SOT-416
					
						Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
						
																				30 @ 20mA, 5V
					
						Numero del prodotto di base:
						
														PDTA123
					introduzione
				
						Transistor bipolare Pre-polarizzato (BJT) PNP - 50 V Pre-polarizzate 100 mA un supporto di superficie SC-75 da 150 Mw
					                            
                      					
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							Stoccaggio:
							
						
							            							 
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							MOQ:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					
