NE3521M04-T2-A
Descrizione:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Configurazione:
Canale N
Voltaggio nominale:
4 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Figura del rumore:
0.85dB
Tensione - prova:
2 V
Mfr:
Cel
Frequenza:
20GHz
Guadagno:
11 dB
Confezione / Cassa:
4-SMD, conduttori piatti
Corrente - prova:
6 mA
Potenza - Output:
-
Tecnologia:
GaAs HJ-FET
Corrente nominale (ampere):
70 mA
introduzione
RF Mosfet 2 V 6 mA 20 GHz 11 dB
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: