PTFA261702E V1
Descrizione:
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio nominale:
65 V
Pacco:
Scaffale
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
H-30275-4
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Frequenza:
20,66 GHz
Guadagno:
15 dB
Confezione / Cassa:
2-Flatpack, Pin Leads
Corrente - prova:
1.8 A
Potenza - Output:
170W
Tecnologia:
ldmos
Corrente nominale (ampere):
10µA
introduzione
RF Mosfet 28 V 1.8 A 2.66GHz 15dB 170W H-30275-4
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: