FJN4307RTA
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
PNP - Pregiudicato
Frequenza - transizione:
200 MHz
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Nastro e scatola (TB)
Serie:
-
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-92-3
Resistenza - base (R1):
22 kOhms
Mfr:
semi
Resistenza - emittenta-base (R2):
47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
100nA (ICBO)
Potenza - Max:
300 mW
Confezione / Cassa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ha formato i cavi
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Numero del prodotto di base:
FJN430
introduzione
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW attraverso foro TO-92-3
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: