PTFA181001EV4R250XTMA1
Descrizione:
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio nominale:
65 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
H-36248-2
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Frequenza:
10,88 GHz
Guadagno:
16.5dB
Confezione / Cassa:
2-Flatpack, Pin Leads
Corrente - prova:
750 mA
Potenza - Output:
100 W
Tecnologia:
ldmos
Corrente nominale (ampere):
1µA
Numero del prodotto di base:
PTFA181001
introduzione
Mosfet RF 28 V 750 mA 1,88 GHz 16,5 dB 100 W H-36248-2
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: