MUN2230T1G
Descrizione:
Trasferimento di energia elettrica
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
NPN - Pre-polarizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI:
250 mV @ 5mA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SC-59
Resistenza - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
semi
Resistenza - emittenta-base (R2):
kOhms 1
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
338 mW
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce:
3 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
MUN2230
introduzione
Transistor bipolare pre-biased (BJT) NPN - Pre-biased 50 V 100 mA 338 mW Supporto di superficie SC-59
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: