Casa > prodotti > Circuito integrato del TI > BG3130RE6327BTSA1

BG3130RE6327BTSA1

Descrizione:
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio nominale:
8 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Configurazione:
2 N-Manica (doppi)
Serie:
-
Figura del rumore:
1,3 dB
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-SOT363-PO
Tensione - prova:
5 V
Mfr:
Infineon Technologies
Frequenza:
800 MHz
Guadagno:
24 dB
Confezione / Cassa:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Corrente - prova:
14 mA
Potenza - Output:
-
Tecnologia:
MOSFET
Corrente nominale (ampere):
25 mA
Numero del prodotto di base:
BG3130
introduzione
Mosfet RF 5 V 14 mA 800 MHz 24 dB PG-SOT363-PO
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: