CG2H80120D-GP4
Descrizione:
120W GAN HEMT 28V 8,0 GHz DIE, G2
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Voltaggio nominale:
84 V
Pacco:
Scaffale
Serie:
GaN
Confezione del dispositivo del fornitore:
Morire.
Tensione - prova:
28 V
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Frequenza:
8GHz
Guadagno:
12 dB
Confezione / Cassa:
Morire.
Potenza - Output:
120 W
Tecnologia:
HEMT
Corrente nominale (ampere):
28A
Numero del prodotto di base:
CG2H80120
introduzione
Morsetto RF Mosfet 28 V 8 GHz 12 dB 120 W
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: