A2G35S160-01SR3
Descrizione:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio nominale:
125 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
NI-400S-2S
Tensione - prova:
48 v
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
3.4 GHz ~ 3.6 GHz
Guadagno:
150,7 dB
Confezione / Cassa:
NI-400S-2S
Corrente - prova:
190 mA
Potenza - Output:
51dBm
Tecnologia:
ldmos
Corrente nominale (ampere):
-
Numero del prodotto di base:
A2G35
introduzione
RF Mosfet 48 V 190 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 15.7dB 51dBm NI-400S-2S
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: