MRFX1K80HR5
Descrizione:
MOSFET RF LDMOS 65V NI-1230H-4S
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Voltaggio nominale:
182 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Configurazione:
Doppio
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
NI-1230-4H
Tensione - prova:
65 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequenza:
10,8 MHz ~ 470 MHz
Guadagno:
24 dB
Confezione / Cassa:
SOT-979A
Corrente - prova:
200 mA
Potenza - Output:
1800W
Tecnologia:
ldmos
Corrente nominale (ampere):
10µA
Numero del prodotto di base:
MRFX1
introduzione
Mosfet RF 65 V 200 mA 1,8 MHz ~ 470 MHz 24 dB 1800 W NI-1230-4H
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: