L'indice di concentrazione è il seguente:
Descrizione:
Transistor GAN 600W
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Voltaggio nominale:
65 V
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Tensione - prova:
50 V
Mfr:
MACOM Technology Solutions
Frequenza:
10,03 GHz ~ 1,09 GHz
Guadagno:
21.3 dB
Confezione / Cassa:
-
Corrente - prova:
600 mA
Potenza - Output:
600 W
Tecnologia:
HEMT
Corrente nominale (ampere):
82A
introduzione
RF Mosfet 50 V 600 mA 1,03GHz ~ 1,09GHz 21,3 dB 600W
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: