1214GN-600VHE
Descrizione:
TRAN, GAN, 1200-1400 MHz, 600W,
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio nominale:
150 V
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
55-KR
Tensione - prova:
50 V
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Frequenza:
1.2 GHz ~ 1.4 GHz
Guadagno:
17.5dB
Confezione / Cassa:
55-KR
Corrente - prova:
100 mA
Potenza - Output:
600 W
Tecnologia:
HEMT
Corrente nominale (ampere):
-
introduzione
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 17,5 dB 600W 55-KR
Invii il RFQ
Stoccaggio:
In Stock
MOQ: