PTFA192001E1V4R250XTMA1
Descrizione:
Transistor di potenza IC RF
Categoria:
Circuito integrato del TI
In-stock:
in magazzino
Metodo di pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET RF, MOSFET
Status del prodotto:
Non utilizzato
Voltaggio nominale:
65 V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Figura del rumore:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
H-33288-2
Tensione - prova:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Frequenza:
10,99 GHz
Guadagno:
150,9 dB
Confezione / Cassa:
2-Flatpack, con pinna, con flangia
Corrente - prova:
1.8 A
Potenza - Output:
50W
Tecnologia:
ldmos
Corrente nominale (ampere):
-
introduzione
RF Mosfet 30 V 1,8 A 1,99 GHz 15,9 dB 50W H-33288-2
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Stoccaggio:
In Stock
MOQ: